基于MOS电容衬底压阻的纳米梁检测研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 丁萃 ; 成海涛 ; 杨恒 |
| 刊名 | 传感器与微系统
 |
| 出版日期 | 2011 |
| 期号 | 12 |
| 关键词 | 纳米梁 谐振器 压阻检测 MOS电容 |
| ISSN号 | 1000-9787 |
| 中文摘要 | 传统的纳米谐振器压阻检测在工艺上需解决制备结深浅、掺杂浓度高的薄层电阻的技术难题。基于MOS电容衬底压阻的谐振式纳米梁系统是一种新型的压阻检测方案,它通过将MOS电容耗尽层下的掺杂区用作力敏电阻,回避了制备浅结高浓度电阻的技术问题,也解决了MOS沟道压阻抗干扰性差的问题,在SoI硅片上制作了150 nm厚的梁结构。在检测方面,通过设计屏蔽式驱动封装结构,解决了驱动信号电磁耦合干扰的问题,并结合一系列降低噪声、减小串扰的措施,实现了μV量级的微弱信号检测。测试得到该结构在常温常压下的Q值为197,谐振峰频率 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-04-13 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/107007]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 丁萃,成海涛,杨恒. 基于MOS电容衬底压阻的纳米梁检测研究[J]. 传感器与微系统,2011(12). |
| APA | 丁萃,成海涛,&杨恒.(2011).基于MOS电容衬底压阻的纳米梁检测研究.传感器与微系统(12). |
| MLA | 丁萃,et al."基于MOS电容衬底压阻的纳米梁检测研究".传感器与微系统 .12(2011). |
入库方式： OAI收割
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