基于多掩膜光刻工艺的MEMS体硅加工
文献类型：期刊论文
| 作者 | 黄占喜 ; 吴亚明 ; 李四华 |
| 刊名 | 功能材料与器件学报
 |
| 出版日期 | 2011 |
| 期号 | 03 |
| 关键词 | MEMS 光刻 多掩膜 体硅工艺 |
| ISSN号 | 1007-4252 |
| 中文摘要 | 本文提出了一种新颖的MEMS多掩膜工艺,实现了带有大台阶和大深宽比窄槽的衬底上的体硅精细加工。通过薄胶多次光刻在衬底上制作出氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)、光刻胶(photo-resist,PR)等材料的多层掩膜图形,每层掩膜可以进行一次衬底刻蚀或腐蚀,刻蚀或腐蚀完毕后去除该层掩膜。该工艺解决了MEMS工艺中的深坑涂胶和光刻问题,结合深反应离子刻蚀(Deep Re-active Ion Etching,DR IE)、湿法腐蚀等工艺可以用于多级台阶、深坑底部精细结构、微结构释放等MEMS工艺。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-04-13 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/107015]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 黄占喜,吴亚明,李四华. 基于多掩膜光刻工艺的MEMS体硅加工[J]. 功能材料与器件学报,2011(03). |
| APA | 黄占喜,吴亚明,&李四华.(2011).基于多掩膜光刻工艺的MEMS体硅加工.功能材料与器件学报(03). |
| MLA | 黄占喜,et al."基于多掩膜光刻工艺的MEMS体硅加工".功能材料与器件学报 .03(2011). |
入库方式： OAI收割
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