台面型InP/InGaAs PIN光伏探测器的p-InP低阻欧姆接触
文献类型：期刊论文
| 作者 | 魏鹏 ; 朱耀明 ; 邓洪海 ; 唐恒敬 ; 李雪 ; 张永刚 ; 龚海梅 |
| 刊名 | 红外与激光工程
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| 出版日期 | 2011 |
| 期号 | 12 |
| ISSN号 | 1007-2276 |
| 关键词 | 传输线模型(TLM) p-InP 欧姆接触 比接触电阻 AES |
| 中文摘要 | 研究了电子束蒸发淀积的非合金膜系Au/Pt/Ti/p-InP(2×1018cm-3)接触的物理特性,通过450℃、4 min的快速退火,获得了欧姆接触,其比接触电阻为7.3×10-5Wcm2。接触电极退火后,采用离子溅射法淀积加厚电极Cr/Au。利用俄歇电子能谱(AES)进行深度剖面分析,表明Pt层能够相对有效地阻挡Au和InP的互扩散,但仍会有少部分的Au穿透Pt层进入InP层;金属与p-InP低阻欧姆接触的形成由界面处金属和InP的化学及其冶金学反应决定,并且少量的In-Au化合物的形成可能有益于接触 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-04-13 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/107046]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 魏鹏,朱耀明,邓洪海,等. 台面型InP/InGaAs PIN光伏探测器的p-InP低阻欧姆接触[J]. 红外与激光工程,2011(12). |
| APA | 魏鹏.,朱耀明.,邓洪海.,唐恒敬.,李雪.,...&龚海梅.(2011).台面型InP/InGaAs PIN光伏探测器的p-InP低阻欧姆接触.红外与激光工程(12). |
| MLA | 魏鹏,et al."台面型InP/InGaAs PIN光伏探测器的p-InP低阻欧姆接触".红外与激光工程 .12(2011). |
入库方式： OAI收割
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