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一维光子晶体下拓扑绝缘体缺陷的研究

文献类型:期刊论文

作者王鹏 ; 刘勤 ; 蒋寻涯
刊名功能材料与器件学报
出版日期2011
期号05
关键词光子晶体 拓扑绝缘体 传输矩阵 表面态
ISSN号1007-4252
中文摘要拓扑绝缘体(TI)是近年来广受关注的一种新型材料,其表面的拓扑磁电效应是其拓扑性质的反应。我们在TI平板上下表面镀上很薄的铁磁层并同方向磁化,然后将其夹在一维光子晶体中作为缺陷来研究时,发现TI材料表面的磁电耦合效应引起透射谱上一些新奇的变化。例如,当垂直入射一束线偏振光时,与一般的"单个透射率为1"的缺陷态共振峰不同,这时会出现"两个透射率为0.5"的缺陷态共振峰,并且两个透射峰频率处的透射光是圆偏振态,同时,我们还可以通过调节光子晶体的相关参数来调节这两个透射峰(双峰)的距离。反过来,我们可以通过这些
语种中文
公开日期2012-04-13
源URL[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/107060]  
专题上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文
推荐引用方式
GB/T 7714
王鹏,刘勤,蒋寻涯. 一维光子晶体下拓扑绝缘体缺陷的研究[J]. 功能材料与器件学报,2011(05).
APA 王鹏,刘勤,&蒋寻涯.(2011).一维光子晶体下拓扑绝缘体缺陷的研究.功能材料与器件学报(05).
MLA 王鹏,et al."一维光子晶体下拓扑绝缘体缺陷的研究".功能材料与器件学报 .05(2011).

入库方式: OAI收割

来源:上海微系统与信息技术研究所

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