一种基于电流阶梯波的相变存储器擦驱动电路
文献类型:期刊论文
作者 | 陈一峰 ; 宋志棠 ; 陈小刚 ; 陈后鹏 ; 刘波 ; 白宁 ; 陈邦明 ; 吴关平 ; 谢志峰 ; 杨左娅 |
刊名 | 微电子学
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出版日期 | 2011 |
期号 | 06 |
关键词 | 相变存储器 非易失性存储器 电流阶梯波 擦驱动电路 |
ISSN号 | 1004-3365 |
中文摘要 | 基于相变存储器的擦操作(SET)特性,设计了一种能够产生电流阶梯波的相变存储器擦驱动电路,采用130nm标准CMOS工艺将其与128kb的相变存储器实验芯片集成。相比传统的单一电流脉冲擦驱动电路,这种改进后的擦驱动电路能将相变存储单元的电阻均值从15kΩ左右降至7kΩ左右,并且存储阵列的阻值分布一致性也得到提升,最终能将128kb相变存储实验芯片的单元成品率提升至99%以上。 |
语种 | 中文 |
公开日期 | 2012-04-13 |
源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/107067] ![]() |
专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈一峰,宋志棠,陈小刚,等. 一种基于电流阶梯波的相变存储器擦驱动电路[J]. 微电子学,2011(06). |
APA | 陈一峰.,宋志棠.,陈小刚.,陈后鹏.,刘波.,...&杨左娅.(2011).一种基于电流阶梯波的相变存储器擦驱动电路.微电子学(06). |
MLA | 陈一峰,et al."一种基于电流阶梯波的相变存储器擦驱动电路".微电子学 .06(2011). |
入库方式: OAI收割
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