GaAs气相掺杂外延的研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 彭瑞伍 ; 孙裳珠 ; 沈松华 |
| 刊名 | 金属学报
 |
| 出版日期 | 1980 |
| 期号 | 03 |
| 关键词 | 生长速率:6588 表面形貌:5167 电子迁移率:3596 晶向:2241 衬底温度:1561 掺杂方法:1412 实验点:1391 文献:1376 杂质分布:1373 击穿电压:1332 |
| ISSN号 | 0412-1961 |
| 中文摘要 | 本文用Ga-AsCl_3-H_2体系在改进的外延设备上生长了GaAs掺杂外延片.文中研究了GaAs气相掺杂过程并评价了外延层的质量.对掺杂外延时的表面形貌、生长速率、电子迁移率、击穿电压、横向浓度均匀性、纵向浓度分布、缺陷和外延重现性等参数进行了讨论.结果表明,所得外延片具有较好的质量,已用于制作微波器件,如变容管和开关管等. |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-04-19 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/107429]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 彭瑞伍,孙裳珠,沈松华. GaAs气相掺杂外延的研究[J]. 金属学报,1980(03). |
| APA | 彭瑞伍,孙裳珠,&沈松华.(1980).GaAs气相掺杂外延的研究.金属学报(03). |
| MLA | 彭瑞伍,et al."GaAs气相掺杂外延的研究".金属学报 .03(1980). |
入库方式： OAI收割
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。