InSb化学比的电化学研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 姚林声 ; 邹元爔 |
| 刊名 | 科学通报
 |
| 出版日期 | 1965 |
| 期号 | 09 |
| 关键词 | 电动势测定:5654 化合物半导体:3937 电化学研究:3428 电学性质:3297 半导体性质:3077 可能影响:2248 电动势法:2099 活度:2037 样品:1892 晶体:1794 |
| ISSN号 | 0023-074X |
| 中文摘要 | <正> 随着化合物半导体的发展,化学比对半导体电学性质的影响受到了越来越多的注意。但过去这方面的研究多集中在PbS、CdTe、Bi_2Te_3等Ⅳ—ⅥⅡ—Ⅵ、Ⅴ—Ⅵ族化合物上面,而对Ⅲ—Ⅴ族化合物的研究较少。对后者来说,由于它们具有强的共价健,能将过剩的组分排除出去,因此一般认为它们对严格化学比的偏离应很小。实际上,除了GaSb或者还可能有InAs之外,还不能肯定地证明化学比对Ⅲ—Ⅴ族化合物的电学性质有显著的影响。例如,Hulme和Mullin发现,从富In和富Sb熔池中生长的InSb晶体的半导体性质并无 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-04-19 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/107431]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 姚林声,邹元爔. InSb化学比的电化学研究[J]. 科学通报,1965(09). |
| APA | 姚林声,&邹元爔.(1965).InSb化学比的电化学研究.科学通报(09). |
| MLA | 姚林声,et al."InSb化学比的电化学研究".科学通报 .09(1965). |
入库方式： OAI收割
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