从熔体中生长金属和半导体单晶技术的进展
文献类型：期刊论文
| 作者 | 王渭源 ; 徐元森 |
| 刊名 | 科学通报
 |
| 出版日期 | 1965 |
| 期号 | 06 |
| 关键词 | 锗单晶:4737 晶体生长机理:4336 溶液中生长晶体:3855 熔体:3443 体单晶:2931 单晶生长:2227 硅单晶:2185 半导体:2165 籽晶:2143 金属单晶:2099 |
| ISSN号 | 0023-074X |
| 中文摘要 | <正> 引言天然单晶中有相当多的缺陷,诸如位错、杂质偏析等,往往不能满足研究及工业上的要求。在人工培养的单晶中,缺陷大为减少;而且,用人工方法还能培养出一定缺陷、各种形状及天然不存在的单晶。根据母相状态,晶体生长可分为从气相、溶液、熔体及固体中生长四种情况。有关晶体生长机理及技术,已发表了很多论文及专著。前者(生长机理方面)可参看1949年Faraday学会讨论会刊,1958年在Cooper-stown举行的晶体生长和完整性会议的论文集,苏联1956—1964年四次晶体生长会议的论文集等;后者(生长技术方 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-04-19 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/107449]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王渭源,徐元森. 从熔体中生长金属和半导体单晶技术的进展[J]. 科学通报,1965(06). |
| APA | 王渭源,&徐元森.(1965).从熔体中生长金属和半导体单晶技术的进展.科学通报(06). |
| MLA | 王渭源,et al."从熔体中生长金属和半导体单晶技术的进展".科学通报 .06(1965). |
入库方式： OAI收割
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