某些Ⅲ,Ⅴ族元素在锗、硅中的相互作用
文献类型：期刊论文
| 作者 | 刘振元 |
| 刊名 | 金属学报
 |
| 出版日期 | 1965 |
| 期号 | 02 |
| 关键词 | 相互作用:6511 电阻率:4601 温差电动势:4124 最大值:2722 等温曲线:1768 改变符号:1576 杂质:1416 原子:1339 溶解度:1154 半导体:1121 |
| ISSN号 | 0412-1961 |
| 中文摘要 | 研究了以锗、硅为基的固溶体中,铝、锑、磷的行为。在分析Ce-Al-Sb,Ge-Al-P,Si-Al-P系统时,发现在假二元Ge-AlSb,Ge-AlP,Si-AlP截面上,上述元素有最大的共同溶解度。在研究锗、硅固溶体中,掺杂元素组分与微硬度、电阻率的关系时,获得的结果是在相应上述假二元截面上,出现最小值和最大值。而温差电动势则在该截面改变符号。在Si-Al-Sb系中,微硬度的最小值,电阻率的最大值都不很明显。从试验结果,可以认为Ge-Al-Sb,Ge-Al-P,Si-Al-P系,铝、锑和铝、磷在锗、硅固 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-04-19 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/107508]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘振元. 某些Ⅲ,Ⅴ族元素在锗、硅中的相互作用[J]. 金属学报,1965(02). |
| APA | 刘振元.(1965).某些Ⅲ,Ⅴ族元素在锗、硅中的相互作用.金属学报(02). |
| MLA | 刘振元."某些Ⅲ,Ⅴ族元素在锗、硅中的相互作用".金属学报 .02(1965). |
入库方式： OAI收割
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