用微量取样电感耦合等离子体发射光谱法测定化合物半导体外延层Ga_(1-x)Al_xAs中Ga和Al的原子比及其深度分布
文献类型：期刊论文
| 作者 | 叶汝求 ; 江锦恒 |
| 刊名 | 光谱学与光谱分析
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| 出版日期 | 1983 |
| 期号 | 03 |
| 关键词 | 化合物半导体材料:4197 深度分布:4092 外延层:3883 阳极氧化:3866 原子比:3093 化学腐蚀:2690 发射光谱法测定:2607 氧化膜:2192 多层结构:1968 取样:1819 |
| ISSN号 | 1000-0593 |
| 中文摘要 | 本文报道了用钽片蒸发器微量取样感耦等离子体发射光谱(ICP-AES)方法,结合阳极氧化和化学腐蚀剥层技术,测定厚度1—3微米的化合物半导体外延层材料Ga_(1-x)Al_xAs中Ga和Al的原子比及其深度分布。单层或多层结构的Ga_(1-x)Al_xAs/GaAs外延层材料先经恒流阳极氧化,再用20微升盐酸腐蚀液溶解生成的氧化膜,然后用微量取样ICP-AES方法同时分析溶解液中Ga和Al的含量,并求出两者的原子比。连续多次进行阳极氧化、化学腐蚀剥层,可以测定原子比值的深度分布。二十次测定x值的相对标准偏差 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-04-19 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/107573]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 叶汝求,江锦恒. 用微量取样电感耦合等离子体发射光谱法测定化合物半导体外延层Ga_(1-x)Al_xAs中Ga和Al的原子比及其深度分布[J]. 光谱学与光谱分析,1983(03). |
| APA | 叶汝求,&江锦恒.(1983).用微量取样电感耦合等离子体发射光谱法测定化合物半导体外延层Ga_(1-x)Al_xAs中Ga和Al的原子比及其深度分布.光谱学与光谱分析(03). |
| MLA | 叶汝求,et al."用微量取样电感耦合等离子体发射光谱法测定化合物半导体外延层Ga_(1-x)Al_xAs中Ga和Al的原子比及其深度分布".光谱学与光谱分析 .03(1983). |
入库方式： OAI收割
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