制造MOS器件用试剂的纯度
文献类型：期刊论文
| 作者 | 王为林 |
| 刊名 | 化学世界
 |
| 出版日期 | 1982 |
| 期号 | 12 |
| 关键词 | 器件:4812 试剂:3889 成品率:3482 杂质:3345 选择腐蚀:3290 热加工:2809 超纯水:2454 制造工艺:2444 微粒:2044 光刻:1868 |
| ISSN号 | 0367-6358 |
| 中文摘要 | <正> 制造MOS器件大约需要几十道工序,就工种而言,大致可分为二大类:一、光刻,包括选择腐蚀;二、热加工,包括外延、氧化和扩散。这二类工种都需要各种用量不同的试剂,而试剂中存在的杂质则往往会影响器件的参数和器件的成品率。因此,人们就常常想通过最后一道超纯水将片子上的杂质冲洗掉。但事实上,水只能冲去溶解于水中的杂质,而对残渣和微粒,水是很难冲掉的。尤其是 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-04-19 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/107576]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王为林. 制造MOS器件用试剂的纯度[J]. 化学世界,1982(12). |
| APA | 王为林.(1982).制造MOS器件用试剂的纯度.化学世界(12). |
| MLA | 王为林."制造MOS器件用试剂的纯度".化学世界 .12(1982). |
入库方式： OAI收割
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