Selective Wet-etching of Ge2Sb2Te5 Phase-change Thin Films in Thermal Lithography with Tetramethylammonium
文献类型：期刊论文
| 作者 | Deng CM(邓常猛) |
| 刊名 | applied physics a: materials science &processing
 |
| 出版日期 | 2011-04-09 |
| 期号 | 104页码:1091-1097 |
| 关键词 | Ge2Sb2Te5 film selective wet etching tetramethylammonium thermal lithography |
| 公开日期 | 2012-04-24 |
| 源URL | [http://ir.siom.ac.cn/handle/181231/10430]  |
| 专题 | 上海光学精密机械研究所_高密度光存储技术实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Deng CM. Selective Wet-etching of Ge2Sb2Te5 Phase-change Thin Films in Thermal Lithography with Tetramethylammonium[J]. applied physics a: materials science &processing,2011(104):1091-1097. |
| APA | Deng CM.(2011).Selective Wet-etching of Ge2Sb2Te5 Phase-change Thin Films in Thermal Lithography with Tetramethylammonium.applied physics a: materials science &processing(104),1091-1097. |
| MLA | Deng CM."Selective Wet-etching of Ge2Sb2Te5 Phase-change Thin Films in Thermal Lithography with Tetramethylammonium".applied physics a: materials science &processing .104(2011):1091-1097. |
入库方式： OAI收割
来源：上海光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。