Study on Adhesive Strength between Ge(2)Sb(2)Te(5) Film and Electrodes for Phase Change Memory Application
文献类型：期刊论文
| 作者 | Liu, YB ; Zhang, T ; Zhang, GX(张国欣） ; Niu, XM ; Song, ZT ; Min, GQ ; Lin, Y ; Zhang, J ; Zhou, WM ; Zhang, JP ; Chu, JT ; Wan, YZ ; Feng, SL |
| 刊名 | JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
 |
| 出版日期 | 2009 |
| 卷号 | 48期号:10页码:5 |
| ISSN号 | 0021-4922 |
| 通讯作者 | Liu, YB (reprint author), Shanghai Nanotechnol Promot Ctr, Lab Nanotechnol, Shanghai 200237, Peoples R China |
| 学科主题 | Physics |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2012-04-11 |
| 源URL | [http://ir.sinap.ac.cn/handle/331007/7067]  |
| 专题 | 上海应用物理研究所_中科院上海应用物理研究所2004-2010年 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Liu, YB,Zhang, T,Zhang, GX,et al. Study on Adhesive Strength between Ge(2)Sb(2)Te(5) Film and Electrodes for Phase Change Memory Application[J]. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,2009,48(10):5. |
| APA | Liu, YB.,Zhang, T.,Zhang, GX.,Niu, XM.,Song, ZT.,...&Feng, SL.(2009).Study on Adhesive Strength between Ge(2)Sb(2)Te(5) Film and Electrodes for Phase Change Memory Application.JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,48(10),5. |
| MLA | Liu, YB,et al."Study on Adhesive Strength between Ge(2)Sb(2)Te(5) Film and Electrodes for Phase Change Memory Application".JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 48.10(2009):5. |
入库方式： OAI收割
来源：上海应用物理研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。