注F~+加固CMOS/SOI材料的抗辐射研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 武光明,朱江,高剑侠 |
| 刊名 | 电子元件与材料
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| 出版日期 | 2002-02-28 |
| 期号 | 02 |
| 中文摘要 | 向SIMOX材料的SiO2埋层或Si/SiO2界面注入170 keV F+,进而制成CMOS/SOI材料,采用60Co g 辐射器辐照并测量材料的I-V特性。结果表明:向CMOS/SOI材料埋层注入F+离子,能提高CMOS/SOI材料的抗电离辐照性能。而且,注入F+的剂量为11015cm2时,材料的抗辐照能力较强。这对制作应用于电离辐射环境的COMS/SOI器件极其有益。 |
| 收录类别 | CNKI |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-04-18 |
| 源URL | [http://ir.sinap.ac.cn/handle/331007/7628]  |
| 专题 | 上海应用物理研究所_中科院上海应用物理研究所2004-2010年 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 武光明,朱江,高剑侠. 注F~+加固CMOS/SOI材料的抗辐射研究[J]. 电子元件与材料,2002(02). |
| APA | 武光明,朱江,高剑侠.(2002).注F~+加固CMOS/SOI材料的抗辐射研究.电子元件与材料(02). |
| MLA | 武光明,朱江,高剑侠."注F~+加固CMOS/SOI材料的抗辐射研究".电子元件与材料 .02(2002). |
入库方式： OAI收割
来源：上海应用物理研究所
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