水热法制备强光致荧光CdS纳米晶及其性质研究
文献类型：学位论文
| 作者 | 许荣辉 |
| 学位类别 | 博士 |
| 答辩日期 | 2007-05-24 |
| 授予单位 | 中国科学院上海应用物理研究所 |
| 授予地点 | 上海应用物理研究所 |
| 导师 | 汪勇先 |
| 关键词 | 硫化镉纳米晶 水热法 稳定化处理 光致荧光 介质影响 |
| 其他题名 | Synthesis of CdS Nanocrystals with Ultral-strong Fluorescent Intensity by Hydrothermal Route and Study on Its Property |
| 中文摘要 | 本课题采用水热法制备得到高质量半导体CdS纳米晶。得到的硫化镉纳米晶大小约5nm左右，具有闪锌矿（3-巯基丙酸为硫源）与纤锌矿（L-半胱氨酸、硫脲为硫源）结构，高光致荧光强度及超长的光化学稳定性。 奥氏熟化（Ostwald ripening）与退火处理有助于得到高质量的纳米晶。本课题所得的硫化镉纳米晶显示具有强的荧光激发谱与边带（band-edge）发射谱，其光化学稳定性优异，具体体现为放置一年依然有强荧光。 本课题对纳米晶采用透射电镜（TEM）、粉末X-ray衍射对纳米晶大小及结构进行了表征，结果显示其具有体相材料的结构特性。超强的稳定性预示了产品具有潜在的应用前景。 本课题采用硫脲、3-巯基丙酸及聚乙烯吡咯烷酮（PVP）水溶液对水热法合成的产品进行了稳定化处理，结果发现纳米晶发射的荧光强度大为增加。 此外，我们发现将水热法制得的硫化镉纳米晶转入其它有机相（氯仿、3-巯基丙酸、TOPO氯仿溶液）后，其最大荧光发射波长（λem,max）与最大荧光激发波长（λex,max）均出现了较大幅度的位移。经分析得出结论：纳米晶的荧光发射性质（λem,max）是多种因素影响的共同结果，这些因素包括纳米晶大小、结晶均一性、表面结构形态及介质偶极矩等。 本课题还对硫化镉包覆磁微粒子的可行性进行了初步的研究。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-04-11 |
| 页码 | 106 |
| 源URL | [http://ir.sinap.ac.cn/handle/331007/7174]  |
| 专题 | 上海应用物理研究所_中科院上海应用物理研究所2004-2010年 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 许荣辉. 水热法制备强光致荧光CdS纳米晶及其性质研究[D]. 上海应用物理研究所. 中国科学院上海应用物理研究所. 2007. |
入库方式： OAI收割
来源：上海应用物理研究所
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