辐照方法制备太赫兹发射晶体
文献类型：学位论文
| 作者 | 杨康 |
| 学位类别 | 硕士 |
| 答辩日期 | 2009-05-25 |
| 授予单位 | 中国科学院上海应用物理研究所 |
| 授予地点 | 上海应用物理研究所 |
| 导师 | 朱智勇 |
| 关键词 | 光电导晶体 离子辐照 太赫兹源 砷化镓 |
| 其他题名 | Terahertz photoconductive antenna made on ion-implanted photoconductive crystal |
| 中文摘要 | 论文首先从半导体内载流子的运动性质，以及离子与物质的相互作用情况出发，探讨了离子辐照方法提升半导体光电导性质的物理基础。 通过尝试利用2MeV的He+离子辐照的方法对因加载过高电压而导致击穿的太赫兹光导天线进行修复，证明了离子辐照在晶体内部产生的多种缺陷结构对光导天线的太赫兹发射光谱可以产生明显的改善作用。 利用能量为80keV，剂量分别为1016 ions/cm2、1014 ions/cm2和1013 ions/cm2的H+、C+、As+三种离子辐照半绝缘砷化镓（SI-GaAs）晶体，并以之为基体制作出的太赫兹光电导天线相对于未辐照样品表现出了更差的太赫兹发射性能。表明辐照层太浅以及辐照剂量过大时，并不能有效提高光电导晶体的太赫兹发射能力。 通过利用1.5 MeV He+ 离子辐照SI-GaAs，并比较了不同剂量辐照后的晶体的性能，制作出了太赫兹脉冲发射性能优良的光电导天线。基于辐照样品的光电导天线，其信号强度远高于未辐照SI-GaAs做基体制备的光电导天线。该种光电导天线可以具有0.1-2.7 THz左右的频谱宽度，拥有比LT-GaAs晶体为基体的光电导天线更强的信号强度、略宽的频谱宽度和与之相当的信噪比。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-04-11 |
| 页码 | 100 |
| 源URL | [http://ir.sinap.ac.cn/handle/331007/7351]  |
| 专题 | 上海应用物理研究所_中科院上海应用物理研究所2004-2010年 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 杨康. 辐照方法制备太赫兹发射晶体[D]. 上海应用物理研究所. 中国科学院上海应用物理研究所. 2009. |
入库方式： OAI收割
来源：上海应用物理研究所
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