Growth and properties of ZnO thin film on beta-Ga2O3(100) substrate by pulsed laser deposition
文献类型：期刊论文
| 作者 | Zhang, JG ; Li, B（李宾） ; Xia, CT ; Deng, Q ; Xu, J ; Pei, GQ ; Wu, F ; Wu, YQ ; Shi, HS ; Xu, WS ; Yang, ZH |
| 刊名 | JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
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| 出版日期 | 2006 |
| 卷号 | 296期号:2页码:186 |
| 关键词 | atomic force microscopy characterization floating zone technique laser epitaxy zinc compounds semiconducting materials |
| ISSN号 | 0022-0248 |
| 通讯作者 | Xia, CT (reprint author), Chinese Acad Sci, Shanghai Inst Opt & Fine Mech, Shanghai 201800, Peoples R China |
| 学科主题 | Spectroscopy |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2012-05-03 |
| 源URL | [http://ir.sinap.ac.cn/handle/331007/8065]  |
| 专题 | 上海应用物理研究所_中科院上海应用物理研究所2004-2010年 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Zhang, JG,Li, B,Xia, CT,et al. Growth and properties of ZnO thin film on beta-Ga2O3(100) substrate by pulsed laser deposition[J]. JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH,2006,296(2):186. |
| APA | Zhang, JG.,Li, B.,Xia, CT.,Deng, Q.,Xu, J.,...&Yang, ZH.(2006).Growth and properties of ZnO thin film on beta-Ga2O3(100) substrate by pulsed laser deposition.JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH,296(2),186. |
| MLA | Zhang, JG,et al."Growth and properties of ZnO thin film on beta-Ga2O3(100) substrate by pulsed laser deposition".JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 296.2(2006):186. |
入库方式： OAI收割
来源：上海应用物理研究所
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