Effect of ion dose on growth of relaxed SiGe layer on ion implantation Si substrate
文献类型：期刊论文
| 作者 | Chen, CC（陈长春） ; Liu, ZH ; Huang, WT ; Dou, WZ ; Xiong, XY ; Zhang, W（张伟） ; Peihsin, T ; Cao, JQ（曹建清） |
| 刊名 | JOURNAL OF RARE EARTHS
 |
| 出版日期 | 2004 |
| 卷号 | 22页码:26 |
| 关键词 | strain relaxation UHVCVD ion implantation SiGe |
| ISSN号 | 1002-0721 |
| 通讯作者 | Chen, CC (reprint author), Tsing Hua Univ, Inst Microelect, Beijing 100084, Peoples R China, Peoples R China |
| 学科主题 | Physics |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2012-05-11 |
| 源URL | [http://ir.sinap.ac.cn/handle/331007/8274]  |
| 专题 | 上海应用物理研究所_中科院上海应用物理研究所2004-2010年 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Chen, CC,Liu, ZH,Huang, WT,et al. Effect of ion dose on growth of relaxed SiGe layer on ion implantation Si substrate[J]. JOURNAL OF RARE EARTHS,2004,22:26. |
| APA | Chen, CC.,Liu, ZH.,Huang, WT.,Dou, WZ.,Xiong, XY.,...&Cao, JQ.(2004).Effect of ion dose on growth of relaxed SiGe layer on ion implantation Si substrate.JOURNAL OF RARE EARTHS,22,26. |
| MLA | Chen, CC,et al."Effect of ion dose on growth of relaxed SiGe layer on ion implantation Si substrate".JOURNAL OF RARE EARTHS 22(2004):26. |
入库方式： OAI收割
来源：上海应用物理研究所
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