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Etching effects of low energy argon ion beam on porous anodic aluminum oxide membranes

文献类型:期刊论文

作者Sen, W(王森) ; Yu, GJ(俞国军) ; Gong, JL ; Li, QT ; Zhu, DZ ; Zhu, ZY
刊名ACTA PHYSICA SINICA
出版日期2006
卷号55期号:3页码:1517
关键词porous anodic aluminum oxide membrane ion beam etching
ISSN号1000-3290
通讯作者Sen, W (reprint author), Chinese Acad Sci, Shanghai Inst Appl Phys, Shanghai 201800, Peoples R China
学科主题Instruments & Instrumentation; Physics
收录类别SCI
语种英语
公开日期2012-05-11
源URL[http://ir.sinap.ac.cn/handle/331007/8279]  
专题上海应用物理研究所_中科院上海应用物理研究所2004-2010年
推荐引用方式
GB/T 7714
Sen, W,Yu, GJ,Gong, JL,et al. Etching effects of low energy argon ion beam on porous anodic aluminum oxide membranes[J]. ACTA PHYSICA SINICA,2006,55(3):1517.
APA Sen, W,Yu, GJ,Gong, JL,Li, QT,Zhu, DZ,&Zhu, ZY.(2006).Etching effects of low energy argon ion beam on porous anodic aluminum oxide membranes.ACTA PHYSICA SINICA,55(3),1517.
MLA Sen, W,et al."Etching effects of low energy argon ion beam on porous anodic aluminum oxide membranes".ACTA PHYSICA SINICA 55.3(2006):1517.

入库方式: OAI收割

来源:上海应用物理研究所

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