ANOMALOUS CAPACITANCE OF GaN-BASED SCHOTTKY DIODES
文献类型：期刊论文
| 作者 | Chu, KH ; Zhang, WJ ; Xu, JT ; Li, XY |
| 刊名 | JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES
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| 出版日期 | 2010 |
| 卷号 | 29期号:3 Pages页码:161-166 |
| 公开日期 | 2012-05-12 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/108773]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_传感技术联合国家重点实验室_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Chu, KH,Zhang, WJ,Xu, JT,et al. ANOMALOUS CAPACITANCE OF GaN-BASED SCHOTTKY DIODES[J]. JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES,2010,29(3 Pages):161-166. |
| APA | Chu, KH,Zhang, WJ,Xu, JT,&Li, XY.(2010).ANOMALOUS CAPACITANCE OF GaN-BASED SCHOTTKY DIODES.JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES,29(3 Pages),161-166. |
| MLA | Chu, KH,et al."ANOMALOUS CAPACITANCE OF GaN-BASED SCHOTTKY DIODES".JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES 29.3 Pages(2010):161-166. |
入库方式： OAI收割
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