无铅镀层中锡晶须生长行为及机制的研究
文献类型：学位论文
| 作者 | 江波 |
| 学位类别 | 硕士 |
| 答辩日期 | 2007-05-21 |
| 授予单位 | 中国科学院金属研究所 |
| 授予地点 | 金属研究所 |
| 导师 | 冼爱平 |
| 关键词 | 无铅锡镀层 晶须 不连续生长 锡稀土合金 脉冲电流 |
| 其他题名 | BEHAVIORS AND MECHANISM OF TIN WHISKER |
| 学位专业 | 材料物理与化学 |
| 中文摘要 | 随着电子封装无铅化的发展，无铅锡基镀层已全面取代了锡铅镀层。但是，纯锡及锡基合金镀层具有自发生长锡晶须的倾向，而导电的锡晶须的生成会引起电路引脚间的桥连，产生电路短路，进而导致电子元器件失效。这一现象严重影响电子产品的可靠性，如对卫星、导弹、核武器系统等的安全性有潜在威胁。因此研究并阐明锡晶须的生长机理，并寻求有效的预防措施，成为目前科学界关注的焦点。为此，本文对无铅纯锡镀层中锡晶须生长的行为及机制进行了研究。 实验采用三种传统的镀液配方（硫酸盐镀液、碱性镀液、卤化物镀液）在磷青铜基体上制备不同的锡镀层，观察和研究晶须在室温和高温高湿（55℃/100RH%）条件下的生长行为；并在纯锡中添加稀土来研究稀土元素对晶须生长过程的作用；另外自行设计了一种脉冲电路方法，研究脉冲电流对晶须生长的作用。 实验结果表明：所选三种镀液中，碱性镀液配方制备的镀层的锡晶须生长趋势最大；通过对单根晶须生长的连续观察，发现锡晶须具有跳跃式的不连续生长的特点；添加稀土元素后，在大块锡合金表面观察到晶须生长，晶须生长在锡/稀土化合物附近，并且随着稀土添加量的增加，晶须的生长趋势增大；脉冲电流通过基体时将影响晶须生长的趋势，当电流密度过高时（1.0 ×105 A/dm2），通电15天后未观察到晶须生成。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-04-10 |
| 页码 | 105 |
| 源URL | [http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/17077]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 江波. 无铅镀层中锡晶须生长行为及机制的研究[D]. 金属研究所. 中国科学院金属研究所. 2007. |
入库方式： OAI收割
来源：金属研究所
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