基片温度对微晶硅薄膜微观结构和光学性能的影响
文献类型：期刊论文
| 作者 | 程华 ; 王萍 ; 崔岩 ; 吴爱民 ; 石南林 |
| 刊名 | 材料研究学报
 |
| 出版日期 | 2011-08-25 |
| 期号 | 4页码:408-412 |
| 关键词 | 材料合成与加工工艺 微晶硅薄膜 ECR PECVD 吸收系数 光学带隙 |
| 中文摘要 | 以Ar+SiH_4作为反应气体,采用电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积(ECR-PECVD)方法制备微晶硅薄膜,研究了基片温度对薄膜微观结构、吸收系数、光学禁带宽度的影响。结果表明,随着基片温度的升高,薄膜的微观组织逐渐由非晶转化为微晶,薄膜的粗糙度单调增大,而H含量则单调减小。薄膜的光学吸收系数随基片温度的升高而增大,禁带宽度由1.89 eV降低到1.75 eV。 |
| 公开日期 | 2012-04-12 |
| 源URL | [http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/23343]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 程华,王萍,崔岩,等. 基片温度对微晶硅薄膜微观结构和光学性能的影响[J]. 材料研究学报,2011(4):408-412. |
| APA | 程华,王萍,崔岩,吴爱民,&石南林.(2011).基片温度对微晶硅薄膜微观结构和光学性能的影响.材料研究学报(4),408-412. |
| MLA | 程华,et al."基片温度对微晶硅薄膜微观结构和光学性能的影响".材料研究学报 .4(2011):408-412. |
入库方式： OAI收割
来源：金属研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。