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块体纳米晶工业纯铁在0.4 mol/L HCl溶液中的电化学腐蚀行为

文献类型:期刊论文

作者孙淼 ; 张艳 ; 王胜刚
刊名腐蚀科学与防护技术
出版日期2011-07-15
期号4页码:293-297
关键词块体纳米晶工业纯铁(BNII) 深度轧制 盐酸溶液 腐蚀
中文摘要借助动电位极化和电化学阻抗谱(EIS)测量,研究块体纳米晶工业纯铁(BNII)和粗晶工业纯铁(CPII)在室温0.4 mol/L HCl溶液中的电化学腐蚀行为;用扫描电子显微镜(SEM)观察腐蚀后的表面形貌.结果表明,与CPII相比,BNII的自腐蚀电位E_(corr)正向移动43 mV,自腐蚀电流I_(corr)由68.37μA?cm~(-2)减小为29.55μA?cm~(-2);电荷转移电阻Rt由427.0Ω?cm~2增大到890.1Ω?cm~(-2).两种材料发生的点蚀呈不同的形态:BNII的点蚀孔小而浅,腐蚀深度比较均匀,而CPII的腐蚀表面形成的点蚀孔深且孔径较大.与CPII相比,BNII在HCl溶液中的耐腐蚀性能明显提高.
公开日期2012-04-12
源URL[http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/23376]  
专题金属研究所_中国科学院金属研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
孙淼,张艳,王胜刚. 块体纳米晶工业纯铁在0.4 mol/L HCl溶液中的电化学腐蚀行为[J]. 腐蚀科学与防护技术,2011(4):293-297.
APA 孙淼,张艳,&王胜刚.(2011).块体纳米晶工业纯铁在0.4 mol/L HCl溶液中的电化学腐蚀行为.腐蚀科学与防护技术(4),293-297.
MLA 孙淼,et al."块体纳米晶工业纯铁在0.4 mol/L HCl溶液中的电化学腐蚀行为".腐蚀科学与防护技术 .4(2011):293-297.

入库方式: OAI收割

来源:金属研究所

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