气相沉积硅薄膜微结构及悬挂键缺陷研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 黄香平 ; 肖金泉 ; 邓宏贵 ; 杜昊 ; 闻火 ; 黄荣芳 ; 闻立时 |
| 刊名 | 真空科学与技术学报
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| 出版日期 | 2011-03-15 |
| 期号 | 2页码:178-182 |
| 关键词 | 纳晶硅 悬挂键密度 电子自旋共振 Raman光谱 |
| 中文摘要 | 在单晶Si(100)基体上利用电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积法制备硅薄膜,并采用X射线衍射谱(XRD)、透射电镜(TEM)、Raman光谱、电子自旋共振(ESR)波谱等实验方法研究了不同Ar流量下硅薄膜微结构及悬挂键密度的变化。XRD及TEM实验结果得出,制备的硅薄膜的晶粒尺寸为12~16 nm,属纳晶硅薄膜。薄膜结晶度随镀膜时Ar流量增大而增大,而悬挂键密度则先迅速减小而后缓慢增大。当Ar流量为70 ml/min(标准状态)时,薄膜的悬挂键密度达到最低值4.42×1016cm-3。得出最佳Ar流量值为70 ml/min。 |
| 公开日期 | 2012-04-12 |
| 源URL | [http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/23501]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 黄香平,肖金泉,邓宏贵,等. 气相沉积硅薄膜微结构及悬挂键缺陷研究[J]. 真空科学与技术学报,2011(2):178-182. |
| APA | 黄香平.,肖金泉.,邓宏贵.,杜昊.,闻火.,...&闻立时.(2011).气相沉积硅薄膜微结构及悬挂键缺陷研究.真空科学与技术学报(2),178-182. |
| MLA | 黄香平,et al."气相沉积硅薄膜微结构及悬挂键缺陷研究".真空科学与技术学报 .2(2011):178-182. |
入库方式： OAI收割
来源：金属研究所
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