用等离子体增强化学气相沉积制备微晶硅薄膜
文献类型：期刊论文
| 作者 | 程华 ; 张昕 ; 张广城 ; 刘汝宏 ; 吴爱民 ; 石南林 |
| 刊名 | 材料研究学报
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| 出版日期 | 2010-10-25 |
| 期号 | 5页码:547-549 |
| 关键词 | 材料合成与加工工艺 微晶硅薄膜 Ar稀释SiH_4 ECR-PECVD 微波功率 |
| 中文摘要 | 以Ar+SiH_4作为反应气体,用电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECR PECVD)方法制备微晶硅薄膜,研究了微波功率对薄膜中H含量、薄膜的沉积速率、择优取向和结晶度的影响。结果表明,在300℃制备低温微晶硅薄膜,随着微波功率的增大,薄膜的沉积速率先增大后减小,微波功率为600 W时达到最大;而结晶度和薄膜中的H含量则分别呈现单调增大和单调减少的趋势;使用不同的微波功率,薄膜的择优取向均为(111)方向。 |
| 公开日期 | 2012-04-12 |
| 源URL | [http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/23639]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 程华,张昕,张广城,等. 用等离子体增强化学气相沉积制备微晶硅薄膜[J]. 材料研究学报,2010(5):547-549. |
| APA | 程华,张昕,张广城,刘汝宏,吴爱民,&石南林.(2010).用等离子体增强化学气相沉积制备微晶硅薄膜.材料研究学报(5),547-549. |
| MLA | 程华,et al."用等离子体增强化学气相沉积制备微晶硅薄膜".材料研究学报 .5(2010):547-549. |
入库方式： OAI收割
来源：金属研究所
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