Y和Gd在Mg中反常固溶强化行为的电子起源:第一性原理计算研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 高磊 ; 周健 ; 孙志梅 ; 陈荣石 ; 韩恩厚 |
| 刊名 | 科学通报
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| 出版日期 | 2010-08-05 |
| 期号 | 22页码:2247-2251 |
| 关键词 | 镁合金 固溶强化 第一性原理 化学键 |
| 中文摘要 | Y和Gd在Mg中表现出反常高的固溶强化效率,这一现象与传统的弹性交互作用理论相矛盾.采用第一性原理计算研究了不同合金元素Al,Zn,Y,Gd对Mg固溶体中化学键的影响.结果表明,Y和Gd在Mg中反常固溶强化行为的主要原因是Mg-Y(Gd)和Mg-Mg化学键的增强. |
| 公开日期 | 2012-04-12 |
| 源URL | [http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/23743]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 高磊,周健,孙志梅,等. Y和Gd在Mg中反常固溶强化行为的电子起源:第一性原理计算研究[J]. 科学通报,2010(22):2247-2251. |
| APA | 高磊,周健,孙志梅,陈荣石,&韩恩厚.(2010).Y和Gd在Mg中反常固溶强化行为的电子起源:第一性原理计算研究.科学通报(22),2247-2251. |
| MLA | 高磊,et al."Y和Gd在Mg中反常固溶强化行为的电子起源:第一性原理计算研究".科学通报 .22(2010):2247-2251. |
入库方式： OAI收割
来源：金属研究所
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