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杂质离子对非晶态水合氧化钌电化学超电容性能的影响

文献类型:期刊论文

作者武彩霞 ; 刘罡 ; 方海涛 ; 李峰 ; 史鹏飞
刊名材料研究学报
出版日期2009-12-25
期号6页码:628-634
关键词无机非金属材料 材料物理与化学 超级电容器 X射线光电子能谱 氧化钌
中文摘要采用化学沉淀法(在RuCl_3溶液中滴加NaOH)制备非晶态水合氧化钌,用去离子水对非晶态水合氧化钌沉淀充分洗涤,获得了Na、Cl杂质含量不同、而非晶态结构、水含量和显微相貌都相同的两种氧化钌样品.X射线光电子能谱分析表明,样品中的Na和Cl杂质分别以水合Na~+、水合Cl~-的形式存在.去离子水充分洗涤5次的样品(W-5)与不充分洗涤1次的样品(W-1)相比,前者的Na~+、Cl~-杂质含量低.循环伏安测试表明,W-5的比电容和功率性能都优于W-1 Na~+、Cl~-杂质不仅降低了氧化钉的比电容,也降低了氧化钌的功率性能.在非晶态水合氧化钌的制备过程中杂质含量的控制对获得高超电容性能十分重要.文中还分析了Na~+、Cl~-杂质对电容性能不利影响的机理.
公开日期2012-04-12
源URL[http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/23908]  
专题金属研究所_中国科学院金属研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
武彩霞,刘罡,方海涛,等. 杂质离子对非晶态水合氧化钌电化学超电容性能的影响[J]. 材料研究学报,2009(6):628-634.
APA 武彩霞,刘罡,方海涛,李峰,&史鹏飞.(2009).杂质离子对非晶态水合氧化钌电化学超电容性能的影响.材料研究学报(6),628-634.
MLA 武彩霞,et al."杂质离子对非晶态水合氧化钌电化学超电容性能的影响".材料研究学报 .6(2009):628-634.

入库方式: OAI收割

来源:金属研究所

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