SiC泡沫陶瓷材料的高温氧化行为
文献类型：期刊论文
| 作者 | 郑传伟 ; 杨振明 ; 田冲 ; 曹晓明 ; 张劲松 |
| 刊名 | 稀有金属材料与工程
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| 出版日期 | 2009-12-15 |
| 期号 | S3页码:289-292 |
| 关键词 | SiC 泡沫陶瓷 氧化 结晶 |
| 中文摘要 | 采用可控熔渗反应烧结法制备具有宏观三维连通结构的SiC泡沫陶瓷,研究了SiC泡沫在不同温度的氧气中的氧化行为。结果表明:在800～1300℃温度范围内,SiC泡沫陶瓷与块体SiC陶瓷类似,其氧化动力学曲线符合抛物线规律,氧化过程受氧化剂在氧化膜中的扩散控制,氧化膜结晶后材料的氧化速率显著降低。 |
| 公开日期 | 2012-04-12 |
| 源URL | [http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/23922]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 郑传伟,杨振明,田冲,等. SiC泡沫陶瓷材料的高温氧化行为[J]. 稀有金属材料与工程,2009(S3):289-292. |
| APA | 郑传伟,杨振明,田冲,曹晓明,&张劲松.(2009).SiC泡沫陶瓷材料的高温氧化行为.稀有金属材料与工程(S3),289-292. |
| MLA | 郑传伟,et al."SiC泡沫陶瓷材料的高温氧化行为".稀有金属材料与工程 .S3(2009):289-292. |
入库方式： OAI收割
来源：金属研究所
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