准分子激光引起的非晶硅薄膜晶化行为的研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 崔连武 ; 程华 ; 吴敢 ; 黄荣芳 ; 闻火 ; 闻立时 |
| 刊名 | 真空
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| 出版日期 | 2009-07-25 |
| 期号 | 4页码:5-8 |
| 关键词 | 准分子激光 非晶硅薄膜 激光能量密度 结晶度 |
| 中文摘要 | 利用KrF准分子激光对非晶硅薄膜的表层进行了晶化。研究了激光能量密度和照射脉冲数对薄膜结晶度的影响,并对晶化后薄膜的形貌和结构进行了表征。结果表明:该非晶硅薄膜晶化阈值约为110mJ/cm2,且不受照射脉冲数的影响;激光能量密度是影响薄膜结晶度的首要因素,但在较低的能量密度时,增加照射脉冲数也会显著的提高薄膜结晶度;结构及形貌表征发现,薄膜晶化层厚度约为400～500nm,平均晶粒尺寸为30～50nm。 |
| 公开日期 | 2012-04-12 |
| 源URL | [http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/24031]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 崔连武,程华,吴敢,等. 准分子激光引起的非晶硅薄膜晶化行为的研究[J]. 真空,2009(4):5-8. |
| APA | 崔连武,程华,吴敢,黄荣芳,闻火,&闻立时.(2009).准分子激光引起的非晶硅薄膜晶化行为的研究.真空(4),5-8. |
| MLA | 崔连武,et al."准分子激光引起的非晶硅薄膜晶化行为的研究".真空 .4(2009):5-8. |
入库方式： OAI收割
来源：金属研究所
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