孪晶片层厚度对纳米孪晶Cu疲劳性能的影响
文献类型：期刊论文
| 作者 | 唐恋 ; 卢磊 |
| 刊名 | 金属学报
 |
| 出版日期 | 2009-07-11 |
| 期号 | 7页码:808-814 |
| 关键词 | Cu 孪晶界 疲劳裂纹 疲劳耐久极限 滑移带 剪切带 |
| 中文摘要 | 通过恒应力幅控制拉-拉疲劳实验,比较了脉冲电解沉积制备的不同孪晶片层厚度纯Cu样品的疲劳寿命和疲劳耐久极限.结果表明:在应力疲劳下,样品的疲劳寿命与疲劳耐久极限均随孪晶片层厚度的减小而提高.疲劳样品的宏观表面变形形貌(SEM观察)和微观结构(TEM观察)表明:当平均孪晶片层厚度为85 nm时,材料的塑性形变由位错滑移和剪切带共同承担,进而疲劳裂纹沿剪切带萌生;而当平均孪晶片层厚度为32 nm时,材料的塑性形变由位错孪晶界交互作用主导,从而导致疲劳裂纹沿孪晶界形成. |
| 公开日期 | 2012-04-12 |
| 源URL | [http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/24038]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 唐恋,卢磊. 孪晶片层厚度对纳米孪晶Cu疲劳性能的影响[J]. 金属学报,2009(7):808-814. |
| APA | 唐恋,&卢磊.(2009).孪晶片层厚度对纳米孪晶Cu疲劳性能的影响.金属学报(7),808-814. |
| MLA | 唐恋,et al."孪晶片层厚度对纳米孪晶Cu疲劳性能的影响".金属学报 .7(2009):808-814. |
入库方式： OAI收割
来源：金属研究所
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