偏压和氮分压对TiN膜层结构和膜/基体系性能的影响
文献类型:期刊论文
作者 | 杨洪刚 ; 李曙 ; 张荣禄 |
刊名 | 中国表面工程
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出版日期 | 2009-04-15 |
期号 | 2页码:20-25 |
关键词 | 微纳米材料 摩擦磨损 润滑 自修复 |
中文摘要 | 采用多弧离子镀工艺在钛合金或低碳钢基材上制备TiN薄膜,研究了不同偏压及不同氮分压下制备的薄膜相结构、残余应力、膜/基体系硬度、膜/基结合及其摩擦磨损行为。结果表明:偏压影响TiN晶粒的择优取向,偏压绝对值越大则薄膜内部的残余应力也越大;偏压过高或过低都会降低薄膜与基材之间的结合强度,从而影响其摩擦学性能。氮分压上升,TiN熔滴粒度变大,Ti2N相减少,导致薄膜硬度提高;由过高或过低氮分压制备的膜/基体系在划痕试验中测得的临界载荷均较小;随着氮分压的增加,在试验范围内样品的摩擦因数下降但耐磨性并未获得预期的提高。 |
公开日期 | 2012-04-12 |
源URL | [http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/24138] ![]() |
专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 杨洪刚,李曙,张荣禄. 偏压和氮分压对TiN膜层结构和膜/基体系性能的影响[J]. 中国表面工程,2009(2):20-25. |
APA | 杨洪刚,李曙,&张荣禄.(2009).偏压和氮分压对TiN膜层结构和膜/基体系性能的影响.中国表面工程(2),20-25. |
MLA | 杨洪刚,et al."偏压和氮分压对TiN膜层结构和膜/基体系性能的影响".中国表面工程 .2(2009):20-25. |
入库方式: OAI收割
来源:金属研究所
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