中频反应磁控溅射制备Al_2O_3:CeCl_3薄膜及其光致发光特性
文献类型：期刊论文
| 作者 | 廖国进 ; 骆红 ; 闫绍峰 ; 巴德纯 ; 闻立时 |
| 刊名 | 稀有金属材料与工程
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| 出版日期 | 2009-04-15 |
| 期号 | 4页码:700-704 |
| 关键词 | 光致发光 Al2O3 薄膜 磁控溅射 CeCl3 |
| 中文摘要 | 应用中频反应磁控溅射技术制备了Al2O3:CeCl3的非晶薄膜。Ce3+含量和薄膜的化学成分通过X射线散射能谱(EDS)测量。薄膜试样的晶体结构用X射线衍射分析。俄歇电子谱用于对薄膜材料的化学组分进行定性分析。薄膜的光致发光峰是在370 nm到405 nm范围内,它们来自于Ce3+离子的5d1激发态向基态4f1的两个劈裂能级的跃迁。发光强度强烈地依赖于薄膜中的掺杂浓度和沉积时的基片温度。薄膜发光来自于氯化铈分子中的发光中心,而不是其他的掺杂Ce3+离子。随铈含量增加,光致发光峰向低能方向移动,可能与薄膜中存在氯元素有关。 |
| 公开日期 | 2012-04-12 |
| 源URL | [http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/24141]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 廖国进,骆红,闫绍峰,等. 中频反应磁控溅射制备Al_2O_3:CeCl_3薄膜及其光致发光特性[J]. 稀有金属材料与工程,2009(4):700-704. |
| APA | 廖国进,骆红,闫绍峰,巴德纯,&闻立时.(2009).中频反应磁控溅射制备Al_2O_3:CeCl_3薄膜及其光致发光特性.稀有金属材料与工程(4),700-704. |
| MLA | 廖国进,et al."中频反应磁控溅射制备Al_2O_3:CeCl_3薄膜及其光致发光特性".稀有金属材料与工程 .4(2009):700-704. |
入库方式： OAI收割
来源：金属研究所
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