掺杂浓度对中频反应磁控溅射制备Al_2O_3:Ce~(3+)薄膜发光性能的影响
文献类型：期刊论文
| 作者 | 闫绍峰 ; 骆红 ; 廖国进 ; 巴德纯 ; 闻立时 |
| 刊名 | 真空
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| 出版日期 | 2009-03-25 |
| 期号 | 2页码:33-37 |
| 关键词 | 三氧化二铝薄膜 中频反应磁控溅射 掺杂浓度 光致发光 Ce |
| 中文摘要 | 应用中频反应磁控溅射设备在载玻片上制备掺铈的Al2O3薄膜,在固定的电源功率下,氩气流量为23sccm,氧流量为5sccm,室温下溅射时间为90分钟的条件下,通过控制薄膜中的Ce3+离子的掺杂量来改变薄膜的发光性能。通过X光能量散射谱(EDS)和光致发光测量,得到发光强度和发光峰位对薄膜中的Ce3+浓度有强烈的依赖关系,并且分析了产生这种关系的原因;对发光激发谱分析表明,薄膜发光是源于薄膜中形成的氯化铈集合体中的Ce3+。Al2O3:Ce3+发光膜可应用于需要蓝光发射的平板显示领域。 |
| 公开日期 | 2012-04-12 |
| 源URL | [http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/24162]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 闫绍峰,骆红,廖国进,等. 掺杂浓度对中频反应磁控溅射制备Al_2O_3:Ce~(3+)薄膜发光性能的影响[J]. 真空,2009(2):33-37. |
| APA | 闫绍峰,骆红,廖国进,巴德纯,&闻立时.(2009).掺杂浓度对中频反应磁控溅射制备Al_2O_3:Ce~(3+)薄膜发光性能的影响.真空(2),33-37. |
| MLA | 闫绍峰,et al."掺杂浓度对中频反应磁控溅射制备Al_2O_3:Ce~(3+)薄膜发光性能的影响".真空 .2(2009):33-37. |
入库方式： OAI收割
来源：金属研究所
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