AlGaN/InGaN异质结中一种新缺陷的TEM表征
文献类型：期刊论文
| 作者 | 闫鹏飞 ; 隋曼龄 |
| 刊名 | 半导体技术
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| 出版日期 | 2008-12-31 |
| 期号 | S1页码:133-135 |
| 关键词 | 氮化镓 位错 带状缺陷 拉应力 |
| 中文摘要 | 对用金属有机物化学气相沉积法(MOCVD)在蓝宝石(Al2O3)衬底上生长的紫外光发光二极管(UV-LED)圆晶片进行了透射电子显微镜(TEM)观察研究。发现在外延膜的表面交错存在着一种宽300～700nm、长达数十微米以上的带状缺陷。这种缺陷存在于AlGaN/InGaN组成的多层量子阱区,它还能作为位错发射源在(0001)面和{1122}面上产生大量的位错环。对材料的发光性能造成严重影响。根据位错滑移和多层膜的成分来看,这种缺陷是由于拉应力引起的。 |
| 公开日期 | 2012-04-12 |
| 源URL | [http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/24239]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 闫鹏飞,隋曼龄. AlGaN/InGaN异质结中一种新缺陷的TEM表征[J]. 半导体技术,2008(S1):133-135. |
| APA | 闫鹏飞,&隋曼龄.(2008).AlGaN/InGaN异质结中一种新缺陷的TEM表征.半导体技术(S1),133-135. |
| MLA | 闫鹏飞,et al."AlGaN/InGaN异质结中一种新缺陷的TEM表征".半导体技术 .S1(2008):133-135. |
入库方式： OAI收割
来源：金属研究所
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