中频反应磁控溅射制备Al_2O_3:Ce薄膜及其光致发光特性
文献类型：期刊论文
| 作者 | 廖国进 ; 巴德纯 ; 闻立时 ; 朱振华 ; 刘斯明 |
| 刊名 | 稀有金属材料与工程
 |
| 出版日期 | 2008-03-15 |
| 期号 | 3页码:490-494 |
| 关键词 | 光致发光 Al2O3 薄膜 磁控溅射 稀土元素 |
| 中文摘要 | 用中频反应磁控溅射技术制备了Al2O3:Ce3+的非晶薄膜。XPS监测显示,薄膜中有Ce3+生成。这些薄膜的光致发光峰是在374nm附近,它来自于Ce3+离子的5d1激发态向基态4f1的两个劈裂能级的跃迁。发光强度强烈地依赖于薄膜的掺杂浓度,但发光峰位置不随掺杂浓度而变化。Ce3+含量和薄膜的化学成分是通过X射线散射能谱(EDS)测量的。薄膜试样的晶体结构应用X射线衍射分析。俄歇电子谱用于对薄膜材料的化学组分进行定性分析。发射纯蓝光的Al2O3:Ce3+非晶薄膜在平板显示等领域有着广泛的潜在应用前景。 |
| 公开日期 | 2012-04-12 |
| 源URL | [http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/24470]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 廖国进,巴德纯,闻立时,等. 中频反应磁控溅射制备Al_2O_3:Ce薄膜及其光致发光特性[J]. 稀有金属材料与工程,2008(3):490-494. |
| APA | 廖国进,巴德纯,闻立时,朱振华,&刘斯明.(2008).中频反应磁控溅射制备Al_2O_3:Ce薄膜及其光致发光特性.稀有金属材料与工程(3),490-494. |
| MLA | 廖国进,et al."中频反应磁控溅射制备Al_2O_3:Ce薄膜及其光致发光特性".稀有金属材料与工程 .3(2008):490-494. |
入库方式： OAI收割
来源：金属研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。