直流反应磁控溅射相关工艺条件对TiO_2薄膜反射率性质的影响
文献类型：期刊论文
| 作者 | 王贺权 ; 巴德纯 ; 沈辉 ; 闻立时 |
| 刊名 | 真空科学与技术学报
 |
| 出版日期 | 2008-01-15 |
| 期号 | 1页码:55-58 |
| 关键词 | 直流反应磁控溅射 二氧化钛薄膜 太阳电池 反射率 |
| 中文摘要 | 应用直流反应磁控溅射设备在硅基底上制备TiO2薄膜,利用n&k仪对薄膜的反射率进行检测,结果表明TiO2薄膜可以作为太阳电池减反射薄膜应用,并且通过改变工艺条件可以调控薄膜的反射低谷。当总压强为2×10-1Pa、O2流量为15 sccm、靶基距为190 mm、温度为60℃的条件下制备的TiO2薄膜的减反射效果最好。 |
| 公开日期 | 2012-04-12 |
| 源URL | [http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/24520]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王贺权,巴德纯,沈辉,等. 直流反应磁控溅射相关工艺条件对TiO_2薄膜反射率性质的影响[J]. 真空科学与技术学报,2008(1):55-58. |
| APA | 王贺权,巴德纯,沈辉,&闻立时.(2008).直流反应磁控溅射相关工艺条件对TiO_2薄膜反射率性质的影响.真空科学与技术学报(1),55-58. |
| MLA | 王贺权,et al."直流反应磁控溅射相关工艺条件对TiO_2薄膜反射率性质的影响".真空科学与技术学报 .1(2008):55-58. |
入库方式： OAI收割
来源：金属研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。