反应溅射AlN的模拟
文献类型：期刊论文
| 作者 | 佟洪波 ; 巴德纯 ; 闻立时 |
| 刊名 | 真空科学与技术学报
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| 出版日期 | 2007-09-15 |
| 期号 | 5页码:377-379 |
| 关键词 | 模拟 氮化铝 反应溅射 二次电子发射系数 |
| 中文摘要 | 研究了用反应磁控溅射的方法制备氮化铝薄膜。由于铝和氮化铝二次电子发射系数有很大的不同,导致制备时会在金属模式和化合物模式间出现一个很大的跃迁。为了准确描绘实验结果,建立了一个反应溅射模型。该模型以Berg在1988年提出的模型为基础,包括了靶上二次电子发射系数的变化。利用该模型能够预测溅射行为,计算结果与实测值相符。 |
| 公开日期 | 2012-04-12 |
| 源URL | [http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/24626]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 佟洪波,巴德纯,闻立时. 反应溅射AlN的模拟[J]. 真空科学与技术学报,2007(5):377-379. |
| APA | 佟洪波,巴德纯,&闻立时.(2007).反应溅射AlN的模拟.真空科学与技术学报(5),377-379. |
| MLA | 佟洪波,et al."反应溅射AlN的模拟".真空科学与技术学报 .5(2007):377-379. |
入库方式： OAI收割
来源：金属研究所
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