共轭双滑移取向铜单晶疲劳位错结构的SEM-ECC观察
文献类型:期刊论文
作者 | 李小武 ; 周杨 ; 杨瑞青 ; 苏会和 |
刊名 | 东北大学学报(自然科学版)
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出版日期 | 2007-09-15 |
期号 | 9页码:1365-1368 |
关键词 | 铜单晶 共轭双滑移 循环形变 位错结构 SEM-ECC技术 晶体取向 |
中文摘要 | 利用扫描电镜电子通道衬度(SEM-ECC)技术观察和分析了[■ 2 3]和[■ 1 2]共轭双滑移取向铜单晶体的循环饱和位错结构.结果表明,驻留滑移带(PSBs)的位错结构随晶体取向的不同可呈现出不同的形态,如:[■ 1 2]晶体中的楼梯结构和[■ 2 3]晶体中的沿主滑移面排列的不规则或较规则胞结构.同时还观察到[■ 2 3]晶体中形变带的位错结构由一些不规则的墙和胞结构组成.对于晶体取向位于标准取向三角形[0 0 1]-[■ 1 1]边上的铜单晶体,其疲劳位错结构随晶体取向的不同发生有规律的变化,即:当晶体取向从[■ 1 2]分别向[■ 1 1]和[0 0 1]移动时,位错结构由PSB楼梯结构逐步变化到胞结构和迷宫结构. |
公开日期 | 2012-04-12 |
源URL | [http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/24631] ![]() |
专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 李小武,周杨,杨瑞青,等. 共轭双滑移取向铜单晶疲劳位错结构的SEM-ECC观察[J]. 东北大学学报(自然科学版),2007(9):1365-1368. |
APA | 李小武,周杨,杨瑞青,&苏会和.(2007).共轭双滑移取向铜单晶疲劳位错结构的SEM-ECC观察.东北大学学报(自然科学版)(9),1365-1368. |
MLA | 李小武,et al."共轭双滑移取向铜单晶疲劳位错结构的SEM-ECC观察".东北大学学报(自然科学版) .9(2007):1365-1368. |
入库方式: OAI收割
来源:金属研究所
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