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共轭双滑移取向铜单晶疲劳位错结构的SEM-ECC观察

文献类型:期刊论文

作者李小武 ; 周杨 ; 杨瑞青 ; 苏会和
刊名东北大学学报(自然科学版)
出版日期2007-09-15
期号9页码:1365-1368
关键词铜单晶 共轭双滑移 循环形变 位错结构 SEM-ECC技术 晶体取向
中文摘要利用扫描电镜电子通道衬度(SEM-ECC)技术观察和分析了[■ 2 3]和[■ 1 2]共轭双滑移取向铜单晶体的循环饱和位错结构.结果表明,驻留滑移带(PSBs)的位错结构随晶体取向的不同可呈现出不同的形态,如:[■ 1 2]晶体中的楼梯结构和[■ 2 3]晶体中的沿主滑移面排列的不规则或较规则胞结构.同时还观察到[■ 2 3]晶体中形变带的位错结构由一些不规则的墙和胞结构组成.对于晶体取向位于标准取向三角形[0 0 1]-[■ 1 1]边上的铜单晶体,其疲劳位错结构随晶体取向的不同发生有规律的变化,即:当晶体取向从[■ 1 2]分别向[■ 1 1]和[0 0 1]移动时,位错结构由PSB楼梯结构逐步变化到胞结构和迷宫结构.
公开日期2012-04-12
源URL[http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/24631]  
专题金属研究所_中国科学院金属研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
李小武,周杨,杨瑞青,等. 共轭双滑移取向铜单晶疲劳位错结构的SEM-ECC观察[J]. 东北大学学报(自然科学版),2007(9):1365-1368.
APA 李小武,周杨,杨瑞青,&苏会和.(2007).共轭双滑移取向铜单晶疲劳位错结构的SEM-ECC观察.东北大学学报(自然科学版)(9),1365-1368.
MLA 李小武,et al."共轭双滑移取向铜单晶疲劳位错结构的SEM-ECC观察".东北大学学报(自然科学版) .9(2007):1365-1368.

入库方式: OAI收割

来源:金属研究所

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