电沉积制备WO_3电极及其对Cu可见光光电化学保护
文献类型：期刊论文
| 作者 | 冷文华 ; 刘东坡 ; 程小芳 ; 朱文彩 ; 张鉴清 ; 曹楚南 |
| 刊名 | 金属学报
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| 出版日期 | 2007-07-11 |
| 期号 | 7页码:764-768 |
| 关键词 | WO_3 电沉积 可见光 Cu 光电化学防腐蚀 |
| 中文摘要 | 采用阴极电沉积法制备了具有可见光光电响应的WO_3薄膜电极．考察了制备工艺条件和光反应体系组成对电极光电响应性能的影响．结果表明:沉积电位-0．45V(相对于饱和甘汞电极)、沉积时间1600s、烧结温度400℃时电极光电性能较好;在光电化学电池中,阳极室添加空穴捕获剂(如甲酸和升高溶液pH值,有利于光电流输出．在阳极室溶液组成为0．5mol/dm~3 Na_2SO_4+0．5mol/dm~3 HCOOH(pH9．6)时,WO_3薄膜电极在可见光光照下可对4mol/dm~3 NaCl溶液中金属Cu进行光电化学防腐蚀,为利用可见光实现对金属防腐蚀提供了一条新的途径． |
| 公开日期 | 2012-04-12 |
| 源URL | [http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/24682]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 冷文华,刘东坡,程小芳,等. 电沉积制备WO_3电极及其对Cu可见光光电化学保护[J]. 金属学报,2007(7):764-768. |
| APA | 冷文华,刘东坡,程小芳,朱文彩,张鉴清,&曹楚南.(2007).电沉积制备WO_3电极及其对Cu可见光光电化学保护.金属学报(7),764-768. |
| MLA | 冷文华,et al."电沉积制备WO_3电极及其对Cu可见光光电化学保护".金属学报 .7(2007):764-768. |
入库方式： OAI收割
来源：金属研究所
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