GH4169合金等温条件下晶粒长大数学模型研究
文献类型:期刊论文
作者 | 杨小红 ; 张士宏 ; 王忠堂 ; 张路宁 ; 冯斌 |
刊名 | 沈阳理工大学学报
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出版日期 | 2007-06-15 |
期号 | 3页码:64-68 |
关键词 | GH4169合金 晶粒长大 模型 激活能 |
中文摘要 | 本文研究了GH4169合金在不同加热温度和不同保温时间下的晶粒长大规律.结果表明,晶粒尺寸随着保温时间的增加和加热温度的升高而长大.但该合金晶粒尺寸受温度影响更为显著,当温度高于1050℃时晶粒长大速度明显加快,同时计算了晶粒长大激活能,而且建立了晶粒长大模型. |
公开日期 | 2012-04-12 |
源URL | [http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/24708] ![]() |
专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 杨小红,张士宏,王忠堂,等. GH4169合金等温条件下晶粒长大数学模型研究[J]. 沈阳理工大学学报,2007(3):64-68. |
APA | 杨小红,张士宏,王忠堂,张路宁,&冯斌.(2007).GH4169合金等温条件下晶粒长大数学模型研究.沈阳理工大学学报(3),64-68. |
MLA | 杨小红,et al."GH4169合金等温条件下晶粒长大数学模型研究".沈阳理工大学学报 .3(2007):64-68. |
入库方式: OAI收割
来源:金属研究所
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