中频反应磁控溅射沉积Al_2O_3薄膜中迟滞回线的研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 廖国进 ; 巴德纯 ; 闻立时 ; 刘斯明 ; 阎绍峰 |
| 刊名 | 真空
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| 出版日期 | 2007-05-25 |
| 期号 | 3页码:32-35 |
| 关键词 | 迟滞回线 反应溅射 中频溅射 氧化铝薄膜 |
| 中文摘要 | 采用中频磁控反应溅射工艺进行氧化铝薄膜的沉积实验,对该工艺过程中溅射电压和沉积速率与氧流量的“迟滞回线”现象进行了研究。通过对实验现象的分析讨论,解释了薄膜沉积速率变化的原因。 |
| 公开日期 | 2012-04-12 |
| 源URL | [http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/24722]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 廖国进,巴德纯,闻立时,等. 中频反应磁控溅射沉积Al_2O_3薄膜中迟滞回线的研究[J]. 真空,2007(3):32-35. |
| APA | 廖国进,巴德纯,闻立时,刘斯明,&阎绍峰.(2007).中频反应磁控溅射沉积Al_2O_3薄膜中迟滞回线的研究.真空(3),32-35. |
| MLA | 廖国进,et al."中频反应磁控溅射沉积Al_2O_3薄膜中迟滞回线的研究".真空 .3(2007):32-35. |
入库方式： OAI收割
来源：金属研究所
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