熔融硅液相浸渍法制备C／C-SiC复合材料
文献类型：期刊论文
| 作者 | 王道岭 ; 汤素芳 ; 邓景屹 ; 刘文川 |
| 刊名 | 材料研究学报
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| 出版日期 | 2007-04-25 |
| 期号 | 2页码:135-139 |
| 关键词 | 复合材料 熔融硅 液相浸渍 C／C-SiC复合材料 抗氧化 |
| 中文摘要 | 采用熔融硅液相浸溃法制备了C／C-SiC复合材料,反应生成的SiC主要分布在层间孔和束间孔碳基体表面,少量分布在束内孔．1600℃渗硅2 h,硅化深度约为2～4μm．由于液态硅与碳之间的润湿性很好,在碳基体表面形成了连续的SiC层,局部有粗大的多面碳化硅颗粒生成;讨论了细晶粒连续SiC层和SiC粗晶粒形成机理．由于SiC的加入,材料的抗氧化性能得到明显改善． |
| 公开日期 | 2012-04-12 |
| 源URL | [http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/24746]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王道岭,汤素芳,邓景屹,等. 熔融硅液相浸渍法制备C／C-SiC复合材料[J]. 材料研究学报,2007(2):135-139. |
| APA | 王道岭,汤素芳,邓景屹,&刘文川.(2007).熔融硅液相浸渍法制备C／C-SiC复合材料.材料研究学报(2),135-139. |
| MLA | 王道岭,et al."熔融硅液相浸渍法制备C／C-SiC复合材料".材料研究学报 .2(2007):135-139. |
入库方式： OAI收割
来源：金属研究所
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