孪晶片层结构在室温轧制过程中的微观结构演变
文献类型：期刊论文
| 作者 | 卢秋虹 ; 隋曼龄 ; 李斗星 |
| 刊名 | 材料研究学报
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| 出版日期 | 2007-01-25 |
| 期号 | 1页码:15-19 |
| 关键词 | 金属材料 孪晶片层 轧制形变 Shockley不全位错 透射电子显微学 |
| 中文摘要 | 研究了一种具有纳米孪晶片层结构的电解沉积铜的微观结构特征及其在室温轧制形变后的微观结构演变．结果表明,电解沉积制备的纯铜样品由柱状晶组成,柱状晶内含有平行于样品沉积表面的纳米量级厚度的高密度孪晶片层结构,在孪晶界上缺陷很少,为共格孪晶界．形变后,孪晶片层的微观结构特征与片层厚度密切相关．粗大的孪晶片层的形变行为以全位错运动为主,而细小的孪晶片层的形变行为以肖克莱(Shockley)位错在孪晶界上的滑移为主,从而导致几个纳米厚的超细孪晶片层消失． |
| 公开日期 | 2012-04-12 |
| 源URL | [http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/24827]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 卢秋虹,隋曼龄,李斗星. 孪晶片层结构在室温轧制过程中的微观结构演变[J]. 材料研究学报,2007(1):15-19. |
| APA | 卢秋虹,隋曼龄,&李斗星.(2007).孪晶片层结构在室温轧制过程中的微观结构演变.材料研究学报(1),15-19. |
| MLA | 卢秋虹,et al."孪晶片层结构在室温轧制过程中的微观结构演变".材料研究学报 .1(2007):15-19. |
入库方式： OAI收割
来源：金属研究所
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