HfO_2/Si(001)界面层的TEM研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 卓木金 ; 马秀良 |
| 刊名 | 电子显微学报
 |
| 出版日期 | 2006-12-30 |
| 期号 | S1页码:95-96 |
| 关键词 | 界面层厚度:7807 栅介质层:3216 相对介电常数:2195 薄膜:2048 二氧化硅:1902 氧化铪:1889 透射电子显微镜:1813 等效厚度:1778 退火温度:1778 化学成分:1696 |
| 公开日期 | 2012-04-12 |
| 源URL | [http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/24853]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 卓木金,马秀良. HfO_2/Si(001)界面层的TEM研究[J]. 电子显微学报,2006(S1):95-96. |
| APA | 卓木金,&马秀良.(2006).HfO_2/Si(001)界面层的TEM研究.电子显微学报(S1),95-96. |
| MLA | 卓木金,et al."HfO_2/Si(001)界面层的TEM研究".电子显微学报 .S1(2006):95-96. |
入库方式： OAI收割
来源：金属研究所
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