中频反应磁控溅射制备Al_2O_3:Ce~(3+)薄膜的蓝色发光特性
文献类型：期刊论文
| 作者 | 巴德纯 ; 廖国进 ; 闻立时 ; 刘斯明 ; 阎绍峰 |
| 刊名 | 真空科学与技术学报
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| 出版日期 | 2006-09-30 |
| 期号 | 5页码:421-424 |
| 关键词 | 光致发光 Al2O3 薄膜 Ce |
| 中文摘要 | 本文用中频反应磁控溅射技术制备了Al2O3∶Ce3+的非晶薄膜。这些薄膜的光致发光峰是在370 nm到405 nm范围内,它们来自于Ce3+的5d1激发态向基态4f1的两个劈裂能级的跃迁。发光强度强烈的依赖于薄膜中的掺杂浓度和沉积时的基片温度。Ce3+含量和薄膜的化学成分是通过X射线散射能谱(EDS)测量的。薄膜发光是来自于氯化铈分子中的发光中心,而不是其他的掺杂Ce3+。随铈含量增加5d与4f之间的能量差减小,导致随铈含量增加光致发光峰向低能方向的移动。薄膜试样的晶体结构应用X射线衍射分析。俄歇电子谱用于对薄膜材料的化学组分进行定性分析。发射纯蓝光的Al2O3∶Ce3+非晶薄膜在平板显示等领域有着广泛的潜在应用前景。 |
| 公开日期 | 2012-04-12 |
| 源URL | [http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/24952]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 巴德纯,廖国进,闻立时,等. 中频反应磁控溅射制备Al_2O_3:Ce~(3+)薄膜的蓝色发光特性[J]. 真空科学与技术学报,2006(5):421-424. |
| APA | 巴德纯,廖国进,闻立时,刘斯明,&阎绍峰.(2006).中频反应磁控溅射制备Al_2O_3:Ce~(3+)薄膜的蓝色发光特性.真空科学与技术学报(5),421-424. |
| MLA | 巴德纯,et al."中频反应磁控溅射制备Al_2O_3:Ce~(3+)薄膜的蓝色发光特性".真空科学与技术学报 .5(2006):421-424. |
入库方式： OAI收割
来源：金属研究所
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