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亚微米晶铜中孪晶对位错储存能力的影响

文献类型:期刊论文

作者郭金宇 ; 卢秋虹 ; 卢磊
刊名金属学报
出版日期2006-09-11
期号9页码:903-908
关键词Cu 纳米孪晶 位错储存 变形机理
中文摘要利用电解沉积技术制备出系列亚微米晶纯铜样品,并在样品中引入不同密度的纳米孪晶.室温轧制具有不同孪晶密度的纯铜样品,使样品中储存大量位错.结果表明,具有高密度纳米孪晶结构的纯铜样品,40%轧制变形可使其屈服强度从690 MPa增加到850 MPa;而无孪晶的亚微米铜样品的屈服强度在同样轧制变形条件下只从230 MPa增加到330 MPa.这表明具有高密度纳米孪晶结构的纯铜样品具有很高的位错储存能力.
公开日期2012-04-12
源URL[http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/24960]  
专题金属研究所_中国科学院金属研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
郭金宇,卢秋虹,卢磊. 亚微米晶铜中孪晶对位错储存能力的影响[J]. 金属学报,2006(9):903-908.
APA 郭金宇,卢秋虹,&卢磊.(2006).亚微米晶铜中孪晶对位错储存能力的影响.金属学报(9),903-908.
MLA 郭金宇,et al."亚微米晶铜中孪晶对位错储存能力的影响".金属学报 .9(2006):903-908.

入库方式: OAI收割

来源:金属研究所

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