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LY12铝合金表面电化学沉积制备DTMS硅烷膜及其耐蚀性研究

文献类型:期刊论文

作者胡吉明 ; 刘倞 ; 张鉴清 ; 曹楚南
刊名高等学校化学学报
出版日期2006-06-10
期号6页码:1121-1125
关键词硅烷化处理 电化学沉积 DTMS LY12铝合金 防腐蚀
中文摘要采用电化学技术在LY12铝合金表面沉积制备了十二烷基三甲氧基硅烷(DTMS)膜.反射吸收红外光谱表明,DTMS硅烷试剂与铝合金基体表面发生了化学键合作用,生成—S iOA l键实现成膜.通过对膜覆盖电极在质量分数为3.5%的NaC l溶液中的电化学阻抗谱(EIS)测试结果表明,与开路电位下相比,采用阴极电位沉积方法得到硅烷膜的耐蚀性能有明显提高,且存在一个最佳“临界电位”,在此电位下沉积得到的硅烷膜具有最高的耐蚀性.扫描电镜观察结果表明,在“临界电位”下制备得到的硅烷膜的结构最致密.给出了硅烷膜覆盖电极的阻抗模型及相关参数的拟合结果.
公开日期2012-04-12
源URL[http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/25036]  
专题金属研究所_中国科学院金属研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
胡吉明,刘倞,张鉴清,等. LY12铝合金表面电化学沉积制备DTMS硅烷膜及其耐蚀性研究[J]. 高等学校化学学报,2006(6):1121-1125.
APA 胡吉明,刘倞,张鉴清,&曹楚南.(2006).LY12铝合金表面电化学沉积制备DTMS硅烷膜及其耐蚀性研究.高等学校化学学报(6),1121-1125.
MLA 胡吉明,et al."LY12铝合金表面电化学沉积制备DTMS硅烷膜及其耐蚀性研究".高等学校化学学报 .6(2006):1121-1125.

入库方式: OAI收割

来源:金属研究所

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