掺V和Ag的TiAl合金中缺陷和电子密度的正电子湮没研究(英文)
文献类型：期刊论文
| 作者 | 邓文 ; 祝莹莹 ; 周银娥 ; 黄宇阳 ; 曹名洲 ; 熊良钺 |
| 刊名 | 稀有金属材料与工程
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| 出版日期 | 2006-03-30 |
| 期号 | 3页码:348-351 |
| 关键词 | TiAl合金 电子密度 缺陷 正电子湮没 |
| 中文摘要 | 测量了Ti50Al50,Ti50Al48V2,Ti50Al48Ag2合金和充分退火的Ti,Al,Ag,V金属的正电子寿命谱,利用正电子寿命参数分别计算了合金基体和缺陷态的自由电子密度。TiAl合金的脆性与其基体和晶界缺陷处的自由电子密度较低有关。在富Ti的TiAl合金中加入V,V原子比Al和Ti原子能提供较多的自由电子参与形成金属键,因而提高了合金基体和晶界缺陷处的自由电子密度;在TiAl合金中加入Ag也有类似的效应。在TiAl合金中加入V和Ag,有利于提高合金的韧性。 |
| 公开日期 | 2012-04-12 |
| 源URL | [http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/25098]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 邓文,祝莹莹,周银娥,等. 掺V和Ag的TiAl合金中缺陷和电子密度的正电子湮没研究(英文)[J]. 稀有金属材料与工程,2006(3):348-351. |
| APA | 邓文,祝莹莹,周银娥,黄宇阳,曹名洲,&熊良钺.(2006).掺V和Ag的TiAl合金中缺陷和电子密度的正电子湮没研究(英文).稀有金属材料与工程(3),348-351. |
| MLA | 邓文,et al."掺V和Ag的TiAl合金中缺陷和电子密度的正电子湮没研究(英文)".稀有金属材料与工程 .3(2006):348-351. |
入库方式： OAI收割
来源：金属研究所
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