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不同取向疲劳态铜单晶高速冲击下的绝热剪切带

文献类型:期刊论文

作者杨瑞青 ; 李守新 ; 李广义 ; 张哲峰
刊名金属学报
出版日期2006-03-11
期号3页码:245-250
关键词铜单晶 Hopkinson压杆 绝热剪切带 形变带
中文摘要采用分离式Hopkinson压杆装置(SHPB)和扫描电镜电子通道衬度(SEM-ECC)技术研究了不同取向疲劳态铜单晶高应变率压缩下形成的绝热剪切带(ASB).实验表明, ASB形成的临界应变与晶体取向有关,接近压缩临界双滑移取向晶体需要的临界应变最小,单滑移和压缩共轭双滑移取向的次之,共面双滑移取向的最大.本实验条件下形成的ASB内部典型的位错组态为位错胞结构,未观察到再结晶现象.根据空间位向, ASB可以分为3类:第1类非常接近铜晶体疲劳时形成的第2类形变带(DBII)平面,其临界应变最小;第2类ASB位向或者比较接近DBII平面或者比较接近第1类形变带(DBI)平面, 其临界应变居中;第3类ASB位向与DBI和DBII平面均不接近,其临界应变最大.
公开日期2012-04-12
源URL[http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/25112]  
专题金属研究所_中国科学院金属研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
杨瑞青,李守新,李广义,等. 不同取向疲劳态铜单晶高速冲击下的绝热剪切带[J]. 金属学报,2006(3):245-250.
APA 杨瑞青,李守新,李广义,&张哲峰.(2006).不同取向疲劳态铜单晶高速冲击下的绝热剪切带.金属学报(3),245-250.
MLA 杨瑞青,et al."不同取向疲劳态铜单晶高速冲击下的绝热剪切带".金属学报 .3(2006):245-250.

入库方式: OAI收割

来源:金属研究所

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