正电子湮没技术测量冷却方式对Zr在Ni_3Al中扩散行为的影响
文献类型：期刊论文
| 作者 | 郭建亭 ; 李玉芳 ; 熊良钺 |
| 刊名 | 核技术
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| 出版日期 | 2005-12-10 |
| 期号 | 12页码:909-912 |
| 关键词 | 正电子湮没 Ni3Al Zr 水冷 空冷 扩散 |
| 中文摘要 | 测量了在Ni3Al(Zr)合金经高温均匀化处理后,在空冷和水冷条件下的正电子寿命谱。结果表明,Ni3Al(Zr)合金经高温均匀化后,随即进行空冷时,随着Zr含量的增加,正电子在合金中的寿命谱特征参数降低,捕获率K降低。表明Zr原子扩散到晶界,并在晶界偏聚。而合金经高温均匀化后水冷时,合金的正电子寿命谱特征参数随着Zr含量的增加几乎没有变化。由于冷却速度较快,Zr原子来不及扩散到晶界上,而以固溶方式存在于Ni3Al基体中。 |
| 公开日期 | 2012-04-12 |
| 源URL | [http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/25202]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 郭建亭,李玉芳,熊良钺. 正电子湮没技术测量冷却方式对Zr在Ni_3Al中扩散行为的影响[J]. 核技术,2005(12):909-912. |
| APA | 郭建亭,李玉芳,&熊良钺.(2005).正电子湮没技术测量冷却方式对Zr在Ni_3Al中扩散行为的影响.核技术(12),909-912. |
| MLA | 郭建亭,et al."正电子湮没技术测量冷却方式对Zr在Ni_3Al中扩散行为的影响".核技术 .12(2005):909-912. |
入库方式： OAI收割
来源：金属研究所
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